E-5帕，升温程序也进入第二阶段，一切正常。
十二分钟后。
温度示数达到400摄氏度，膜厚仪显示的实时蒸镀速率，在-0.01至0.01埃每秒之间波动，膜厚显示仍为0.00埃。
三分钟后。
温度示数继续增加，直至480摄氏度左右，蒸镀速率开始在0.00至0.03埃每秒之间波动。
当温度达到520摄氏度后，蒸镀速率维持在0.20至0.30埃每秒。
许秋先开启样品台旋转，在等待了约十秒钟后，同时打开样品挡板并将膜厚仪的膜厚计数器归零。
钙要蒸镀10纳米的厚度，也就是100埃。
……
待膜厚仪示数达到100埃时，许秋迅速关闭样品挡板。
随后，他将束源炉升温数控装置关闭，让束源炉自然降温。
最后，将膜厚仪的参数改为铝的参数。
……
半小时后。
束源炉的温度降低至77摄氏度。
许秋关闭钙的束源炉挡板，打开电流加热装置。
这个加热装置很简单，就是把电源、钨篓、电位器（类似于滑动变阻器）、保险丝、电流计连在一起，通过调节电位器，便可以改变电路中的电流大小。
许秋缓慢扭动电位器的旋钮，使电流计示数从0逐渐增加至18安培。
当电流达到16安培时，膜厚仪上蒸镀速率开始有了示数。
电流达到18安培后，许秋等待了几秒，然后同时打开样品挡板并清零膜厚仪的膜厚计数器。
蒸镀速率则先是从0.2、0.3迅速提升至3.0，随后迅速回落至1.8，之后缓缓下降至1.7，1.6埃每秒……
电流计的示数也会随着时间变化，忽上忽下。
每当其相较于18的偏离值超过1时，许秋就将其调至18。
铝的厚度要求是100纳米，也就是1000埃。
……
待膜厚仪示数达到1000埃时，许秋迅速按下样品挡板。
然后缓缓扭动电位器，将电流归零。
接着关闭超真空挡板阀，停止分子泵。
等待十分钟后，分子泵转速从27000r.p.m.降至0，关闭其开关。
最后，关闭机械泵，关闭总控台。
…………
“终于结束啦！
十二分钟后。
温度示数达到400摄氏度，膜厚仪显示的实时蒸镀速率，在-0.01至0.01埃每秒之间波动，膜厚显示仍为0.00埃。
三分钟后。
温度示数继续增加，直至480摄氏度左右，蒸镀速率开始在0.00至0.03埃每秒之间波动。
当温度达到520摄氏度后，蒸镀速率维持在0.20至0.30埃每秒。
许秋先开启样品台旋转，在等待了约十秒钟后，同时打开样品挡板并将膜厚仪的膜厚计数器归零。
钙要蒸镀10纳米的厚度，也就是100埃。
……
待膜厚仪示数达到100埃时，许秋迅速关闭样品挡板。
随后，他将束源炉升温数控装置关闭，让束源炉自然降温。
最后，将膜厚仪的参数改为铝的参数。
……
半小时后。
束源炉的温度降低至77摄氏度。
许秋关闭钙的束源炉挡板，打开电流加热装置。
这个加热装置很简单，就是把电源、钨篓、电位器（类似于滑动变阻器）、保险丝、电流计连在一起，通过调节电位器，便可以改变电路中的电流大小。
许秋缓慢扭动电位器的旋钮，使电流计示数从0逐渐增加至18安培。
当电流达到16安培时，膜厚仪上蒸镀速率开始有了示数。
电流达到18安培后，许秋等待了几秒，然后同时打开样品挡板并清零膜厚仪的膜厚计数器。
蒸镀速率则先是从0.2、0.3迅速提升至3.0，随后迅速回落至1.8，之后缓缓下降至1.7，1.6埃每秒……
电流计的示数也会随着时间变化，忽上忽下。
每当其相较于18的偏离值超过1时，许秋就将其调至18。
铝的厚度要求是100纳米，也就是1000埃。
……
待膜厚仪示数达到1000埃时，许秋迅速按下样品挡板。
然后缓缓扭动电位器，将电流归零。
接着关闭超真空挡板阀，停止分子泵。
等待十分钟后，分子泵转速从27000r.p.m.降至0，关闭其开关。
最后，关闭机械泵，关闭总控台。
…………
“终于结束啦！
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