结构。
那么材料方面可以进行优化的部分，就只剩下底电池的J4:PCBM:IDIC-4F体系。
这个体系作为底电池的光吸收范围，大约在300-700纳米，而作为顶电池的PCE10:IEICO-4F体系，光吸收范围大约在600-1000纳米。
两者在600-700纳米处的光吸收是重合的，重合程度大约有100纳米，这个范围还是稍微有些大的。
因此，许秋计划把底电池中的IDIC-4F给替换掉，以期让底电池的光吸收范围向短波长移动（蓝移），从而使得顶电池和底电池两者之间重合波长范围变小一些，给顶电池多留一些光。
不过，考虑到IDIC这个体系本身还是不错的，可以制备厚膜器件，便于调控底电池的电流，许秋并不打算放弃使用IDIC系列。
于是，他决定采用IDIC的另外一个衍生物IDIC-M，来代替IDIC-4F。
相较于IDIC-4F，IDIC-M体系的光电性能虽然略微降低，但也可以保持在12%、13%这个档次。
最重要的是，IDIC-M体系的光吸收范围，相较于IDIC-4F发生了一定程度的蓝移。
这主要是因为IDIC-4F和IDIC-M端基的不同所造成的，前者的端基ICIN-2F，引入的氟原子是吸电子的，而后者的端基ICIN-M是给电子的。
如果选择IDIC-M体系，底电池的光吸收范围就可以控制在大约300-650纳米，它和顶电池PCE10:IEICO-4F体系的光吸收范围重叠范围就只有600-650纳米，也就是重合程度只有50纳米左右。
重合程度从100纳米下降到50纳米，反应在器件的短路电流密度上，差不多会偏差1-2个毫安每平方厘米，可以为顶电池的优化留下不少空间。
同时，重合程度只改变50纳米，这个幅度也刚刚好。
因为原先IDIC-4F体系的表现并不差，效率可以做到15%以上，现在是在精益求精，选择小幅度的变化，慢慢调节会比较好，如果变化的幅度太大，反而可能“优化”的过了，造成器件性能急剧的下降。
这个想法许秋刚想出来没多久，模拟实验室那边已经开始同步进行摸索，但还没有出来结果。
于是，他便在现实中进行同步的实验，也不能凡事都依靠模拟实验系统，因为很多实验灵感都是在实验
那么材料方面可以进行优化的部分，就只剩下底电池的J4:PCBM:IDIC-4F体系。
这个体系作为底电池的光吸收范围，大约在300-700纳米，而作为顶电池的PCE10:IEICO-4F体系，光吸收范围大约在600-1000纳米。
两者在600-700纳米处的光吸收是重合的，重合程度大约有100纳米，这个范围还是稍微有些大的。
因此，许秋计划把底电池中的IDIC-4F给替换掉，以期让底电池的光吸收范围向短波长移动（蓝移），从而使得顶电池和底电池两者之间重合波长范围变小一些，给顶电池多留一些光。
不过，考虑到IDIC这个体系本身还是不错的，可以制备厚膜器件，便于调控底电池的电流，许秋并不打算放弃使用IDIC系列。
于是，他决定采用IDIC的另外一个衍生物IDIC-M，来代替IDIC-4F。
相较于IDIC-4F，IDIC-M体系的光电性能虽然略微降低，但也可以保持在12%、13%这个档次。
最重要的是，IDIC-M体系的光吸收范围，相较于IDIC-4F发生了一定程度的蓝移。
这主要是因为IDIC-4F和IDIC-M端基的不同所造成的，前者的端基ICIN-2F，引入的氟原子是吸电子的，而后者的端基ICIN-M是给电子的。
如果选择IDIC-M体系，底电池的光吸收范围就可以控制在大约300-650纳米，它和顶电池PCE10:IEICO-4F体系的光吸收范围重叠范围就只有600-650纳米，也就是重合程度只有50纳米左右。
重合程度从100纳米下降到50纳米，反应在器件的短路电流密度上，差不多会偏差1-2个毫安每平方厘米，可以为顶电池的优化留下不少空间。
同时，重合程度只改变50纳米，这个幅度也刚刚好。
因为原先IDIC-4F体系的表现并不差，效率可以做到15%以上，现在是在精益求精，选择小幅度的变化，慢慢调节会比较好，如果变化的幅度太大，反而可能“优化”的过了，造成器件性能急剧的下降。
这个想法许秋刚想出来没多久，模拟实验室那边已经开始同步进行摸索，但还没有出来结果。
于是，他便在现实中进行同步的实验，也不能凡事都依靠模拟实验系统，因为很多实验灵感都是在实验
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